NTND31015NZTAGの技術仕様
onsemi - NTND31015NZTAG技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTND31015NZTAG仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-XLLGA (0.9x0.65) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 125mW | |
| パッケージ/ケース | 6-XFLGA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12.3pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | NTND31015 |
右側の三つのパーツはonsemi NTND31015NZTAGと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTND31015NZTAG | NTND3184NZTAG | NTHD2102PT1 | SI6933DQ-T1-E3 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Vishay Siliconix |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA | 220mA (Ta) | 3.4A | - |
| パッケージ/ケース | 6-XFLGA | 6-XFLGA | 8-SMD, Flat Lead | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12.3pF @ 15V | 12.3pF @ 15V | 715pF @ 6.4V | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | NTND31015 | NTND3184 | NTHD21 | SI6933 |
| シリーズ | - | - | - | TrenchFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 8V | 30V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V | 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V | 58mOhm @ 3.4A, 4.5V | 45mOhm @ 3.5A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-XLLGA (0.9x0.65) | 6-XLLGA (.90x.65) | ChipFET™ | 8-TSSOP |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA (Min) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | - | 16nC @ 2.5V | 30nC @ 10V |
| FET特長 | - | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力 - 最大 | 125mW | - | 1.1W | 1W |
NTND31015NZTAG - onsemiのNTND31015NZTAG PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTNUS3171PZT5GonsemiMOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123NTNS4C69NTCGONsemiNTND3184NZTAGonsemiMOSFET 2N-CH 20V 220MA 6XLLGANTNS3190NZT5GonsemiMOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGANTND31225CZTAGONsemi
NTNS3A65PZT5GonsemiMOSFET P-CH 20V 281MA SOT883NTHD2102PT1onsemiMOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFETSI6933DQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
STS4DNF30LSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
DMC3035LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC
FDS4897AConsemiMOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SONTNS3193NZT5GonsemiMOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGANTNS3164NZT5GonsemiMOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
IRF7307TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 8-SOICNTND1K5N021ZTAGONsemiNTNS3A65PZT5GHWonsemiMOSFET P-CH 20V 281MA SOT883NTND31015NZAMI Semiconductor/onsemi
SH8M41GZETBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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