NTMT095N65S3Hの技術仕様
onsemi - NTMT095N65S3H技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMT095N65S3H仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2.8mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-TDFN (8x8) | |
| シリーズ | SuperFET® III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 208W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 4-PowerTSFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2833 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
右側の三つのパーツはonsemi NTMT095N65S3Hと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NTMT095N65S3H | NTMTSC002N10MCTXG | NTMSD6N303R2G | NTMS7N03R2 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2833 pF @ 400 V | 6305 pF @ 50 V | 950 pF @ 24 V | 1190 pF @ 25 V |
| シリーズ | SuperFET® III | - | FETKY™ | - |
| パッケージ/ケース | 4-PowerTSFN | 8-PowerTDFN | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 100 V | 30 V | 30 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | 45A (Ta), 236A (Tc) | 6A (Ta) | 4.8A (Ta) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 15A, 10V | 2mOhm @ 90A, 10V | 32mOhm @ 6A, 10V | 23mOhm @ 7A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2.8mA | 4V @ 520µA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 58 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-TDFN (8x8) | 8-TDFNW (8.3x8.4) | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 電力消費（最大） | 208W (Tc) | 9W (Ta), 255W (Tc) | 2W (Ta) | 800mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | Schottky Diode (Isolated) | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
NTMT095N65S3H - onsemiのNTMT095N65S3H PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTMTSC002N10MCTXGonsemiMOSFET N-CH 100V 45A/236A 8TDFNWNTMSD6N303R2GonsemiMOSFET N-CH 30V 6A 8SOICNTMS7N03R2onsemiMOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOICNTMS5P02R2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMTS0D7N06CLTXGonsemiMOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNWNTMSD2P102R2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOICNTMS5P02R2onsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOICNTMSD2P102LR2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOICNTMS7N03R2R2GAMI Semiconductor/onsemiNTMS5P02R2GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOICNTMT090N65S3HFonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFENTMSD3P303R2GonsemiMOSFET P-CH 30V 2.34A 8SOICNTMS7N03R2GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOICNTMSD6N303R2SGonsemiMOSFET N-CH 30V 6A 8SOICNTMSD3P102R2onsemiMOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
NTMSD3P303R2onsemiMOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOICNTMSD3P102R2SGonsemiMOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOICNTMSD6N303R2onsemiMOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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