NTMSD3P303R2Gの技術仕様
onsemi - NTMSD3P303R2G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NTMSD3P303R2G仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
シリーズ | FETKY™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 85mOhm @ 3.05A, 10V | |
電力消費(最大) | 730mW (Ta) | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 750 pF @ 24 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.34A (Ta) | |
基本製品番号 | NTMSD3 |
右側の三つのパーツはonsemi NTMSD3P303R2Gと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | NTMSD3P303R2G | NTMTSC002N10MCTXG | NTMSD6N303R2SG | NTMT090N65S3HF |
メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) | - | Schottky Diode (Isolated) | - |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 10V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | 4V @ 520µA | 2.5V @ 250µA | 5V @ 860µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 750 pF @ 24 V | 6305 pF @ 50 V | 950 pF @ 24 V | 2930 pF @ 400 V |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-PowerTDFN | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 4-PowerTSFN |
シリーズ | FETKY™ | - | FETKY™ | SuperFET® III, FRFET® |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank | Surface Mount | Surface Mount |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.34A (Ta) | 45A (Ta), 236A (Tc) | 6A (Ta) | 36A (Tc) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
基本製品番号 | NTMSD3 | NTMTSC002 | NTMSD6 | - |
電力消費(最大) | 730mW (Ta) | 9W (Ta), 255W (Tc) | 2W (Ta) | 272W (Tc) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 100 V | 30 V | 650 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 25 nC @ 10 V | 89 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 66 nC @ 10 V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 85mOhm @ 3.05A, 10V | 2mOhm @ 90A, 10V | 32mOhm @ 6A, 10V | 90mOhm @ 18A, 10V |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-TDFNW (8.3x8.4) | 8-SOIC | 4-PQFN (8x8) |
FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
NTMSD3P303R2G - onsemiのNTMSD3P303R2G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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