NDD02N60Z-1Gの技術仕様
onsemi - NDD02N60Z-1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NDD02N60Z-1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.8Ohm @ 1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 57W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 274 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.1 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NDD02 |
右側の三つのパーツはonsemi NDD02N60Z-1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NDD02N60Z-1G | NDD03N60ZT4G | NDD03N60Z-1G | NDD04N50Z-1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 274 pF @ 25 V | 312 pF @ 25 V | 312 pF @ 25 V | 308 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 57W (Tc) | 61W (Tc) | 61W (Tc) | 61W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | DPAK | I-PAK | I-PAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.2A (Tc) | 2.6A (Tc) | 2.6A (Tc) | 3A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 500 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.8Ohm @ 1A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 2.7Ohm @ 1.5A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | NDD02 | NDD03 | NDD03 | NDD04 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.1 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
NDD02N60Z-1G - onsemiのNDD02N60Z-1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NDD03N60ZT4GonsemiMOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK
NDD02N60ZT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNDD02N60Z-1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNDD03N60Z-1GonsemiMOSFET N-CH 600V 2.6A IPAKNDD03N60NT4GAMI Semiconductor/onsemiNDD03N50ZAMI Semiconductor/onsemi
NDD02N40VBSEMINDD02N60ZAMI Semiconductor/onsemiNDD04N50Z-1GonsemiMOSFET N-CH 500V 3A IPAK
NDD01N60-1GonsemiMOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK
NDD02N40T4GonsemiMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAKNDD01N60T4GonsemiMOSFET N-CH 600V 1.5A DPAKNDD03N50Z-1GonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAKNDD03N80ZT4GonsemiMOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3NDD02N60ZT4GonsemiMOSFET N-CH 600V 2.2A DPAKNDD02N40-1GonsemiMOSFET N-CH 400V 1.7A IPAKNDD03N80Z-1GonsemiMOSFET N-CH 800V 2.9A IPAKNDD03N50ZT4GonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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