NDD01N60-1Gの技術仕様
onsemi - NDD01N60-1G技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - NDD01N60-1G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 200mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 46W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 160 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | NDD01 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi NDD01N60-1Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | NDD01N60-1G | NDD03N80ZT4G | NDD03N50ZT4G | NDD02N40-1G |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 800 V | 500 V | 400 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.7V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 4.5V @ 50µA | 2V @ 250µA |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 5.5 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 46W (Tc) | 96W (Tc) | 58W (Tc) | 39W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak | DPAK-3 | DPAK | I-Pak |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.5A (Tc) | 2.9A (Tc) | 2.6A (Tc) | 1.7A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | NDD01 | NDD03 | NDD03 | NDD02 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 160 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V | 329 pF @ 25 V | 121 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8.5Ohm @ 200mA, 10V | 4.5Ohm @ 1.2A, 10V | 3.3Ohm @ 1.15A, 10V | 5.5Ohm @ 220mA, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
NDD01N60-1G - onsemiのNDD01N60-1G PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NDD03N80ZT4GonsemiMOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3NDD03N50ZT4GonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A DPAKNDD02N40-1GonsemiMOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
NDD03N50Z-1GonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
NDD02N40T4GonsemiMOSFET N-CH 400V 1.7A DPAKNDD02N60ZT4GonsemiMOSFET N-CH 600V 2.2A DPAKNDD02N60ZT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNDD03N80Z-1GonsemiMOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
NDD02N40VBSEMINDD03N50ZAMI Semiconductor/onsemiNDD03N60ZAMI Semiconductor/onsemiNDD02N60ZAMI Semiconductor/onsemiNDD03N60NT4GAMI Semiconductor/onsemiNDD03N60ZT4GonsemiMOSFET N-CH 600V 2.6A DPAKNDD02N60Z-1GonsemiMOSFET N-CH 600V 2.2A IPAKNDD01N60T4GonsemiMOSFET N-CH 600V 1.5A DPAKNDD03N60Z-1GonsemiMOSFET N-CH 600V 2.6A IPAKNDD02N60Z-1G MOSAMI Semiconductor/onsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。