画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
HUF76633P3 - onsemi
- メーカー 部品型番
- HUF76633P3
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-HUF76633P3
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-220-3
- 在庫あり: 3780
HUF76633P3の技術仕様
onsemi - HUF76633P3技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HUF76633P3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 39A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 145W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1820 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 39A (Tc) | |
| 基本製品番号 | HUF76 |
右側の三つのパーツはonsemi HUF76633P3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUF76633P3 | HUF76639S3ST | HUF76629D3S | HUF76633S3S |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | D2PAK (TO-263) | TO-252AA | D²PAK (TO-263) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 39A (Tc) | 51A (Tc) | 20A (Tc) | 39A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | HUF76 | - | - | HUF76 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 39A, 10V | 26mOhm @ 51A, 10V | 52mOhm @ 20A, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1820 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V | 1285 pF @ 25 V | 1820 pF @ 25 V |
| シリーズ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 145W (Tc) | 180W (Tc) | 110W (Tc) | 145W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 67 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V |
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HUF76639S3STFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5HUF76629D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76633S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76639S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
HUF76629D3SHarris CorporationMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76629D3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
HUF76629D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76639P3onsemiMOSFET N-CH 100V 51A TO220-3HUF76633S3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76629D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76639S3STonsemiMOSFET N-CH 100V 51A D2PAKHUF76633S3STonsemiMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76639S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 51A D2PAKHUF76619D3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUF76629DFairchild (onsemi)
HUF76629D3onsemiMOSFET N-CH 100V 20A IPAKHUF76633S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76619D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 18A TO252AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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