HUF76629D3の技術仕様
onsemi - HUF76629D3技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HUF76629D3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | UltraFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1285 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | |
| 基本製品番号 | HUF76 |
右側の三つのパーツはonsemi HUF76629D3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HUF76629D3 | HUF76633S3ST | HUF76633P3 | HUF76609D3ST |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 20A, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V | 35mOhm @ 39A, 10V | 160mOhm @ 10A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) | 39A (Tc) | 39A (Tc) | 10A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 145W (Tc) | 145W (Tc) | 49W (Tc) |
| 基本製品番号 | HUF76 | - | HUF76 | - |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | D2PAK (TO-263) | TO-220-3 | TO-252, (D-Pak) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1285 pF @ 25 V | 1820 pF @ 25 V | 1820 pF @ 25 V | 425 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| シリーズ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
HUF76629D3 - onsemiのHUF76629D3 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HUF76633S3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76633P3onsemiMOSFET N-CH 100V 39A TO220-3HUF76609D3STFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
HUF76619D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUF76609D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 10A DPAKHUF76629D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76629D3SHarris CorporationMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76619D3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUF76633S3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 39A D2PAKHUF76629D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76629D3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET PHUF76619D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUF76619D3Fairchild (onsemi)HUF76619D3SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 18A TO252AAHUF76629D3SonsemiMOSFET N-CH 100V 20A TO252AAHUF76619D3 MOSFairchild (onsemi)HUF76609D3STonsemiMOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
HUF76633S3SonsemiMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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