画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
HGT1S14N36G3VLT - onsemi
- メーカー 部品型番
- HGT1S14N36G3VLT
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-HGT1S14N36G3VLT
- ECADモデル
- モデルの説明
- IGBT 390V 18A 100W TO262AA
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- 在庫あり: 3640
HGT1S14N36G3VLTの技術仕様
onsemi - HGT1S14N36G3VLT技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HGT1S14N36G3VLT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 390 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.2V @ 5V, 14A | |
| 試験条件 | 300V, 7A, 25Ohm, 5V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | -/7µs | |
| エネルギーの切り替え | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 100 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Logic | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 24 nC | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 18 A | |
| 基本製品番号 | HGT1S14 |
右側の三つのパーツはonsemi HGT1S14N36G3VLTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGT1S14N36G3VLT | HGT1S10N120BNST | HGT1S20N60C3R | HGT1S12N60A4DS |
| メーカー | onsemi | onsemi | Harris Corporation | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK (TO-262) | D²PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) | D²PAK (TO-263) |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電力 - 最大 | 100 W | 298 W | 164 W | 167 W |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| エネルギーの切り替え | - | 320µJ (on), 800µJ (off) | - | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | -/7µs | 23ns/165ns | - | 17ns/96ns |
| 基本製品番号 | HGT1S14 | HGT1S10 | - | HGT1S12 |
| 入力タイプ | Logic | Standard | Standard | Standard |
| ゲートチャージ | 24 nC | 100 nC | 116 nC | 78 nC |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.2V @ 5V, 14A | 2.7V @ 15V, 10A | 2.2V @ 15V, 20A | 2.7V @ 15V, 12A |
| 試験条件 | 300V, 7A, 25Ohm, 5V | 960V, 10A, 10Ohm, 15V | - | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 390 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| IGBTタイプ | - | NPT | - | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 18 A | 35 A | 40 A | 54 A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
HGT1S14N36G3VLT - onsemiのHGT1S14N36G3VLT PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HGT1S10N120BNSTonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO263ABHGT1S20N60C3RHarris Corporation40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTHGT1S14N40F3VLSFSCHGT1S12N60A4DSonsemiIGBT 600V 54A 167W D2PAKHGT1S20N36G3VLSR4737INTERSIL/FAIRCHILD
HGT1S14N36G3VLTFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S20N60A4S9AonsemiIGBT 600V 70A 290W TO263ABHGT1S10N120BNST##QQQQQQQQHGT1S12N60A4S9AHGT1S14N41G3VLS9AFairchild (onsemi)HGT1S12N60B3SHarris Corporation27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S14N36G3VLFairchild (onsemi)HGT1S14N41G3VLSR4874Fairchild (onsemi)HGT1S12N60C3DS9AFairchild (onsemi)HGT1S20N36G3VLSFairchild SemiconductorIGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNELHGT1S12N60A4DSFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2HGT1S14N40G3VLSFairchild (onsemi)HGT1S12N60C3DSFairchild SemiconductorIGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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