HGT1S12N60A4DSの技術仕様
onsemi - HGT1S12N60A4DS技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HGT1S12N60A4DS仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.7V @ 15V, 12A | |
| 試験条件 | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 17ns/96ns | |
| エネルギーの切り替え | 55µJ (on), 50µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 30 ns | |
| 電力 - 最大 | 167 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 78 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 96 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 54 A | |
| 基本製品番号 | HGT1S12 |
右側の三つのパーツはonsemi HGT1S12N60A4DSと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGT1S12N60A4DS | HGT1S10N120BNST | HGT1S12N60A4DS | HGT1S10N120BNS |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 逆回復時間（trrの） | 30 ns | - | 30 ns | - |
| エネルギーの切り替え | 55µJ (on), 50µJ (off) | 320µJ (on), 800µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.7V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 10A | 2.7V @ 15V, 12A | 2.7V @ 15V, 10A |
| 電力 - 最大 | 167 W | 298 W | 167 W | 298 W |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 54 A | 35 A | 54 A | 35 A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 試験条件 | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 960V, 10A, 10Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 17ns/96ns | 23ns/165ns | 17ns/96ns | 23ns/165ns |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | TO-263AB | TO-263AB |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 1200 V | 600 V | 1200 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 96 A | 80 A | 96 A | 80 A |
| IGBTタイプ | - | NPT | - | NPT |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | HGT1S12 | HGT1S10 | - | HGT1S10 |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ゲートチャージ | 78 nC | 100 nC | 120 nC | 100 nC |
HGT1S12N60A4DS - onsemiのHGT1S12N60A4DS PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HGT1S14N41G3VLS9AFairchild (onsemi)HGT1S10N120BNSTonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO263ABHGT1S14N41G3VLSR4874Fairchild (onsemi)HGT1S14N36G3VLFairchild (onsemi)HGT1S12N60C3DS9AFairchild (onsemi)HGT1S12N60A4DSFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2HGT1S14N40G3VLSFairchild (onsemi)HGT1S10N120BNSFairchild SemiconductorIGBT, 35A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
HGT1N30N60A4DonsemiIGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
HGT1S14N40F3VLSFSCHGT1S10N120BNST##QQQQQQQQHGT1N30N60A4DFairchild SemiconductorIGBT, 96A, 600V, N-CHANNELHGT1S12N60C3DSFairchild SemiconductorIGBT, 24A, 600V, N-CHANNELHGT1S10N120BNSonsemiIGBT 1200V 35A 298W TO263ABHGT1S12N60B3SHarris Corporation27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S14N36G3VLTFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1N40N60A4DonsemiIGBT MOD 600V 110A 298W SOT227BHGT1S14N36G3VLTonsemiIGBT 390V 18A 100W TO262AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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