画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FQL40N50F - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQL40N50F
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQL40N50F
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-264-3, TO-264AA
- データシート
- FQL40N50F.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 4530
FQL40N50Fの技術仕様
onsemi - FQL40N50F技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQL40N50F仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264-3 | |
| シリーズ | FRFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 460W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQL40 |
右側の三つのパーツはonsemi FQL40N50Fと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQL40N50F | NTB082N65S3F | STD95N4LF3 | FDD13AN06A0-F085 |
| メーカー | onsemi | onsemi | STMicroelectronics | onsemi |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 5V, 10V | 6V, 10V |
| 電力消費（最大） | 460W (Tc) | 313W (Tc) | 110W (Tc) | 115W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) | 40A (Tc) | 80A (Tc) | 9.9A (Ta), 50A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 650 V | 40 V | 60 V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264-3 | D²PAK (TO-263) | DPAK | TO-252AA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 200 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 20A, 10V | 82mOhm @ 20A, 10V | 6mOhm @ 40A, 10V | 13.5mOhm @ 50A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7500 pF @ 25 V | 3410 pF @ 400 V | 2500 pF @ 25 V | 1350 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | FQL40 | NTB082 | STD95 | FDD13AN06 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±16V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 4mA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| シリーズ | FRFET® | SuperFET® III | STripFET™ III | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FQL40N50F - onsemiのFQL40N50F PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
NTB082N65S3FonsemiMOSFET N-CH 650V 40A D2PAKSTD95N4LF3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 80A DPAK
FQL02030B4LAPIS TechnologyFDD13AN06A0-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA
FDR4420AonsemiMOSFET N-CH 30V 11A SUPERSOT8
DMG4466SSS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
FQL40N50onsemiMOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
NTP6448ANGonsemiMOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
FQL40N50Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FQP8P10onsemiMOSFET P-CH 100V 8A TO220-3
IRFP460Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRFR3704TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 75A DPAKFQL40N50FFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 40A TO264-3FQL40N50 MOSFairchild (onsemi)
NVD5117PLT4GonsemiMOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
STP45N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 45A TO220
STF45N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
SI5461EDC-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.5A 1206-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。