STD95N4LF3の技術仕様
STMicroelectronics - STD95N4LF3技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STD95N4LF3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | |
| シリーズ | STripFET™ III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 40A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STD95 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STD95N4LF3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STD95N4LF3 | STD96N3LLH6 | STD9HN65M2 | STD95N2LH5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs（最大） | ±16V | ±20V | ±25V | ±22V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | DPAK | DPAK | DPAK | DPAK |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 80A (Tc) | 5.5A (Tc) | 80A (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 30 V | 650 V | 25 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 70 nC @ 10 V | 20 nC @ 4.5 V | 11.5 nC @ 10 V | 13.4 nC @ 5 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) | 70W (Tc) | 60W (Tc) | 70W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | STripFET™ III | DeepGATE™, STripFET™ VI | MDmesh™ M2 | STripFET™ V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2500 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 325 pF @ 100 V | 1817 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | STD95 | STD96 | STD9H | STD95 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 5.5V, 10V | 10V | 5V, 10V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 40A, 10V | 4.2mOhm @ 40A, 10V | 820mOhm @ 2.5A, 10V | 4.5mOhm @ 40A, 10V |
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STD95NH02L-1VBSEMI
STD96N3LLH6 MOSSTMicroelectronicsSTD95N2LH5 MOSSTMicroelectronicsSTD93003STMicroelectronicsSTD96N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A DPAKSTD95N4LF3 MOSSTMicroelectronicsSTD9HN65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 5.5A DPAKSTD9N10T4STMicroelectronicsSTD95N2LH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 25V 80A DPAKSTD95N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 80A DPAKSTD9807S5-TRGSEMTRONSTD9N10LT4STMicroelectronicsSTD95NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 24V 80A DPAKSTD95N4F3 MOSSTMicroelectronicsSTD93003-1STMicroelectronicsSTD93003 MOSSTMicroelectronicsSTD95NH02LSTMicroelectronicsSTD95N4F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 80A DPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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