画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDT434P - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDT434P
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDT434P
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4
- 詳細な説明
- パッケージ
- TO-261-4, TO-261AA
- データシート
- FDT434P.pdf
- 在庫あり: 4030
FDT434Pの技術仕様
onsemi - FDT434P技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDT434P仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 6A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1187 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDT43 |
右側の三つのパーツはonsemi FDT434Pと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDT434P | FDT3N40TF | FDT1600N10ALZ | FDT458P |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 10 V | 3.77 nC @ 10 V | 3.5 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 10V | 5V, 10V | 4.5V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Ta) | 2A (Tc) | 5.6A (Tc) | 3.4A (Ta) |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 5V @ 250µA | 2.8V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 400 V | 100 V | 30 V |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1187 pF @ 10 V | 225 pF @ 25 V | 225 pF @ 50 V | 205 pF @ 15 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | FDT43 | FDT3N40 | FDT1600 | FDT458 |
| 電力消費（最大） | 3W (Ta) | 2W (Tc) | 10.42W (Tc) | 3W (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 50mOhm @ 6A, 4.5V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 160mOhm @ 2.8A, 10V | 130mOhm @ 3.4A, 10V |
| シリーズ | PowerTrench® | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® |
FDT434P - onsemiのFDT434P PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDT3N40TFonsemiMOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4
FDT457N MOSFairchild (onsemi)FDT1600N10ALZonsemiMOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4FDT458PonsemiMOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4FDT457NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDT434P-NLVBSEMIFDT3612onsemiMOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4FDT3612 MOSFairchild (onsemi)FDT457NonsemiMOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4FDT1600N10ALZ MOSFairchild (onsemi)FDT434P MOSFairchild (onsemi)FDT3N40TF MOSFairchild (onsemi)FDT3N40TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDT439N-NLFAIRCHILDRCHILDFDT439NonsemiMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4FDT3612Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDT439N MOSFairchild (onsemi)FDT434PFairchild Semiconductor6A, 20V, 0.05OHM, P-CHANNEL, MO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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