FDT1600N10ALZの技術仕様
onsemi - FDT1600N10ALZ技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDT1600N10ALZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 2.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 10.42W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.77 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDT1600 |
右側の三つのパーツはonsemi FDT1600N10ALZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDT1600N10ALZ | FDT457N | FDT3612 | FDT439N |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.6A (Tc) | 5A (Ta) | 3.7A (Ta) | 6.3A (Ta) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 | SOT-223-4 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.77 nC @ 10 V | 5.9 nC @ 5 V | 20 nC @ 10 V | 15 nC @ 4.5 V |
| 基本製品番号 | FDT1600 | - | FDT36 | FDT439 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 2.8A, 10V | 60mOhm @ 5A, 10V | 120mOhm @ 3.7A, 10V | 45mOhm @ 6.3A, 4.5V |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| シリーズ | PowerTrench® | - | PowerTrench® | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 30 V | 100 V | 30 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 10.42W (Tc) | 3W (Ta) | 3W (Ta) | 3W (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 50 V | 235 pF @ 15 V | 632 pF @ 50 V | 500 pF @ 15 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±8V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 2.5V, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA |
FDT1600N10ALZ - onsemiのFDT1600N10ALZ PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDT439N-NLFAIRCHILDRCHILDFDT3N40TF MOSFairchild (onsemi)FDT457NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5FDT439N MOSFairchild (onsemi)FDT457N MOSFairchild (onsemi)FDT3612 MOSFairchild (onsemi)FDT3612onsemiMOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4FDT439NonsemiMOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4FDT434P MOSFairchild (onsemi)FDT434P-NLVBSEMIFDT0593-50LINKCOMFDT1600N10ALZ MOSFairchild (onsemi)FDT434PonsemiMOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4FDT3N40TFonsemiMOSFET N-CH 400V 2A SOT223-4FDT3N40TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDT434PFairchild Semiconductor6A, 20V, 0.05OHM, P-CHANNEL, MOFDT3612Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDT457NonsemiMOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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