FDD850N10LDの技術仕様
onsemi - FDD850N10LD技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDD850N10LD仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) | |
シリーズ | PowerTrench® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 75mOhm @ 12A, 10V | |
電力消費(最大) | 42W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1465 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 28.9 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15.3A (Tc) | |
基本製品番号 | FDD850 |
右側の三つのパーツはonsemi FDD850N10LDと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | FDD850N10LD | FDD8451 | FDD8580 | FDD86102 |
メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 75mOhm @ 12A, 10V | 24mOhm @ 9A, 10V | 9mOhm @ 35A, 10V | 24mOhm @ 8A, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | 40 V | 20 V | 100 V |
パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
基本製品番号 | FDD850 | FDD845 | FDD858 | FDD861 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15.3A (Tc) | 9A (Ta), 28A (Tc) | 35A (Tc) | 8A (Ta), 36A (Tc) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1465 pF @ 25 V | 990 pF @ 20 V | 1445 pF @ 10 V | 1035 pF @ 50 V |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 28.9 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA |
FET特長 | - | - | - | - |
電力消費(最大) | 42W (Tc) | 30W (Tc) | 49.5W (Tc) | 3.1W (Ta), 62W (Tc) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FDD850N10LD - onsemiのFDD850N10LD PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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