FDD8451の技術仕様
onsemi - FDD8451技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDD8451仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 990 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta), 28A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDD845 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FDD8451と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD8451 | FDD8447L-F085 | FDD8447L | FDD8453LZ |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 9A, 10V | 8.5mOhm @ 14A, 10V | 8.5mOhm @ 14A, 10V | 6.7mOhm @ 15A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | 65W (Tc) | 3.1W (Ta), 44W (Tc) | 3.1W (Ta), 65W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA |
| シリーズ | PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Ta), 28A (Tc) | 50A (Tc) | 15.2A (Ta), 50A (Tc) | 16.4A (Ta), 50A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 20 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 64 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 990 pF @ 20 V | 1970 pF @ 20 V | 1970 pF @ 20 V | 3515 pF @ 20 V |
| 基本製品番号 | FDD845 | FDD844 | - | FDD8453 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
FDD8451 - onsemiのFDD8451 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDD8447L-F085onsemiMOSFET N-CH 40V 50A DPAKFDD8447LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDD8453LZonsemiMOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAKFDD850N10LDFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4
FDD844LVBsemi
FDD8453LZ_F085Fairchild/ON SemiconductorMOSFET N-CH 40V 50A DPAKFDD8451 MOSFairchild (onsemi)FDD8445Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDD8447L MOSFairchild (onsemi)
FDD850N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 15.7A DPAKFDD8445 MOSFairchild (onsemi)FDD850N10LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDD8445-F085onsemiMOSFET N-CH 40V 70A TO252AAFDD8451Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDD850N10L MOSFairchild (onsemi)FDD8453LZ MOSFairchild (onsemi)FDD8447LonsemiMOSFET N-CH 40V 15.2A/50A DPAKFDD8453VBsemi| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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