FDD20AN06A0の技術仕様
onsemi - FDD20AN06A0技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDD20AN06A0仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 45A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 950 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta), 45A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDD20 |
右側の三つのパーツはonsemi FDD20AN06A0と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD20AN06A0 | FDD16AN08A0 | FDD24AN06LA0 | FDD18N20LZ |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 基本製品番号 | FDD20 | - | FDD24 | FDD18N20 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta), 45A (Tc) | 9A (Ta), 50A (Tc) | 7.1A (Ta), 40A (Tc) | 16A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | - | TO-252AA | TO-252AA |
| 電力消費（最大） | 90W (Tc) | 135W (Tc) | 75W (Tc) | 89W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | PowerTrench® | UltraFET™ | PowerTrench® | UniFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 45A, 10V | 16mOhm @ 50A, 10V | 19mOhm @ 40A, 10V | 125mOhm @ 8A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 75 V | 60 V | 200 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 950 pF @ 25 V | 1874 pF @ 25 V | 1850 pF @ 25 V | 1575 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | 47 nC @ 10 V | 21 nC @ 5 V | 40 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 6V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V |
FDD20AN06A0 - onsemiのFDD20AN06A0 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDD16AN08A0Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDD24AN06LA0onsemiMOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AAFDD20AN06_F085Fairchild (onsemi)FDD1600N10AOFairchild (onsemi)FDD24AN06AOFairchild (onsemi)FDD20AN06AO MOSFairchild (onsemi)FDD20AN06AOFairchild (onsemi)FDD18N20LZonsemiMOSFET N-CH 200V 16A DPAKFDD16AN08A0 MOSFairchild (onsemi)FDD24AN06LA0-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
FDD1600N10ALZDonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDD20AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AAFDD24AN06LA0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AAFDD16AN08A0onsemiMOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAKFDD1600N10ALZDFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4LFDD16AN08_F085Fairchild (onsemi)FDD24AN06L_F085Fairchild (onsemi)FDD1600N10ALZD MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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