FDD1600N10ALZDの技術仕様
onsemi - FDD1600N10ALZD技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDD1600N10ALZD仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 3.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 14.9W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.61 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Tc) |
右側の三つのパーツはonsemi FDD1600N10ALZDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD1600N10ALZD | FDD16AN08A0 | FDD20AN06A0 | FDD16AN08A0 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.8V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 75 V | 60 V | 75 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.8A (Tc) | 9A (Ta), 50A (Tc) | 8A (Ta), 45A (Tc) | 9A (Ta), 50A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 50 V | 1874 pF @ 25 V | 950 pF @ 25 V | 1874 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 14.9W (Tc) | 135W (Tc) | 90W (Tc) | 135W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 160mOhm @ 3.4A, 10V | 16mOhm @ 50A, 10V | 20mOhm @ 45A, 10V | 16mOhm @ 50A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3.61 nC @ 10 V | 47 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 47 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 5V, 10V | 6V, 10V | 10V | 6V, 10V |
| シリーズ | PowerTrench® | UltraFET™ | PowerTrench® | UltraFET™ |
FDD1500N10ALZFairchild (onsemi)FDD16AN08A0onsemiMOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAKFDD1600N10ALZ MOSFairchild (onsemi)FDD20AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AAFDD16AN08A0Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FDD14AN06L_F085Fairchild (onsemi)FDD14AN06A0Fairchild (onsemi)
FDD1600N10ALZonsemiMOSFET N-CH 100V 6.8A TO252FDD14AN06LAO MOSFairchild (onsemi)FDD14AN06LA0onsemiMOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAFDD1600N10ALZD MOSFairchild (onsemi)FDD14AN06LA0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AAFDD18N20LZonsemiMOSFET N-CH 200V 16A DPAKFDD16AN08_F085Fairchild (onsemi)FDD1600N10AOFairchild (onsemi)FDD20AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AAFDD14AN06LAOFairchild (onsemi)FDD1600N10ALZDFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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