3LP01S-TL-Eの技術仕様
Sanyo - 3LP01S-TL-E技術仕様、属性、パラメーター、およびSanyo - 3LP01S-TL-E仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | onsemi | |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | |
Vgs(最大) | ±10V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | SMCP | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.4Ohm @ 50mA, 4V | |
電力消費(最大) | 150mW (Ta) | |
パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7500 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.43 nC @ 10 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100mA (Ta) | |
基本製品番号 | 3LP01 |
右側の三つのパーツはSanyo 3LP01S-TL-Eと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | 3LP01S-TL-E | 3LP01C-TB-H | 3LP01C-TB-E | BSC100N06LS3GATMA1 |
メーカー | Sanyo | onsemi | onsemi | Infineon Technologies |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 60 V |
同上@ VGS(TH)(最大) | - | - | - | 2.2V @ 23µA |
パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100mA (Ta) | 100mA (Ta) | 100mA (Ta) | 12A (Ta), 50A (Tc) |
運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
基本製品番号 | 3LP01 | 3LP01 | 3LP01 | BSC100 |
サプライヤデバイスパッケージ | SMCP | SC-59-3/CP3 | SC-59-3/CP3 | PG-TDSON-8-5 |
Vgs(最大) | ±10V | ±10V | ±10V | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7500 pF @ 10 V | 7.5 pF @ 10 V | 7.5 pF @ 10 V | 3500 pF @ 30 V |
FET特長 | - | - | - | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4V | 1.5V, 4V | 1.5V, 4V | 4.5V, 10V |
パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 8-PowerTDFN |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.43 nC @ 10 V | 1.43 nC @ 10 V | 1.43 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10.4Ohm @ 50mA, 4V | 10.4Ohm @ 50mA, 4V | 10.4Ohm @ 50mA, 4V | 10mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 150mW (Ta) | 250mW (Ta) | 250mW (Ta) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
シリーズ | - | - | - | OptiMOS™ |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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