FDB6690Sの技術仕様
onsemi - FDB6690S技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDB6690S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | |
| シリーズ | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15.5mOhm @ 21A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 48W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1238 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 42A (Ta) | |
| 基本製品番号 | FDB669 |
右側の三つのパーツはonsemi FDB6690Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDB6690S | FDB7030BL | FDB6690S | FDB7030BL |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 48W (Tc) | 60W (Tc) | 48W (Tc) | 60W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | FDB669 | FDB703 | - | FDB703 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA | 3V @ 250µA | 3V @ 1mA | 3V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15 nC @ 5 V | 24 nC @ 5 V | 15 nC @ 5 V | 24 nC @ 5 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 42A (Ta) | 60A (Ta) | 42A (Ta) | 60A (Ta) |
| シリーズ | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) | TO-263AB | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15.5mOhm @ 21A, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V | 15.5mOhm @ 21A, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1238 pF @ 15 V | 1760 pF @ 15 V | 1238 pF @ 15 V | 1760 pF @ 15 V |
FDB6690S - onsemiのFDB6690S PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDB6688Fairchild (onsemi)FDB6670AL MOSFairchild (onsemi)FDB7030BLFairchild Semiconductor60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL,FDB6690SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 42A TO263ABFDB7030BLonsemiMOSFET N-CH 30V 60A TO263ABFDB6676SFairchild (onsemi)FDB7030BL MOSFairchild (onsemi)FDB6670ASonsemiMOSFET N-CH 30V 62A TO263ABFDB66N15TMFairchild (onsemi)FDB7030BLS MOSFairchild (onsemi)FDB6670AL-NLFairchild (onsemi)FDB6676Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDB7030LonsemiMOSFET N-CH 30V 80A TO263ABFDB6670ASFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 62A TO263ABFDB6676S MOSFairchild (onsemi)FDB7030LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 80A TO263ABFDB6676 MOSFairchild (onsemi)FDB7030BLSFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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