11/7/2024で公開されています 94

MMBT3904 NPNトランジスタの探索

低電力エレクトロニクスの世界では、MMBT3904トランジスタはその汎用性と信頼性のために輝いています。40Vのコレクターエミッター電圧（VCE）定格と最大200mAまでの電流を処理する能力で知られているため、さまざまな回路での切り替えと増幅の両方に頼りになる選択肢です。その基本的なピン構成の理解から、正確な回路設計のためのCADモデルの活用まで、MMBT3904を統合することは多くの利点を提供します。この記事では、その仕様、機能、および実用的なアプリケーションを調査し、電子プロジェクトの効率とパフォーマンスを向上させるための洞察を提供します。MMBT3904は、消費者デバイスであろうとプロフェッショナルな機器であろうと、現代の電子機器の重要なプレーヤーです。

カタログ

MMBT3904トランジスタの概要

MMBT3904 NPNトランジスタが、低電力アプリケーションでの強力なパフォーマンスで認識されているため、際立っています。40ボルトのコレクターエミッター電圧（VCE）しきい値で動作し、200ミリアンペアの最大電流フローを可能にします。これらの仕様は、中程度の複雑さの回路内で信頼できる切り替えを必要とするタスクでうまく機能します。信号の完全性を維持することがユニークな課題をもたらす状況で、ベースが信号を受けない場合に逆バイアス状態にとどまる能力が評価されます。

ベース信号が導入されると、MMBT3904は順方向バイアス状態にシームレスに遷移し、小さな信号スイッチとしての役割を強化します。この正確な制御は、しばしばロジックゲートやリレードライブなどの回路で求められています。トランジスタは、オーディオアンプと信号処理回路で実用的なアプリケーションを見つけます。この回路では、その迅速なスイッチング機能は基本的なものから例外的なパフォーマンスです。MMBT3904の信頼性と効率は、電子機器の設計の工芸に専念するものと共鳴します。

トランジスタの注目すべき属性の1つは、ベースエミッタの電圧要件が低い約0.6ボルトで、特にエネルギー効率に耳を傾ける設計者にアピールします。これにより、最小限のエネルギー損失で動作が保証されます。これは、バッテリーの寿命を延ばすことでバッテリー駆動のデバイスでのエクスペリエンスを充実させる機能です。さらに、低いベースエミッター電圧は熱発生の減少に寄与し、それによりデバイスとその周囲のコンポーネントの寿命が強化されます。しばしば、持続可能で長期にわたるサーキット設計を目指して、これらの特性を評価することができます。

ピン構成

ピン番号	ピン名	説明
1	エミッタ	電流はエミッタを介して流れます
2	ベース	トランジスタのバイアスを制御します
3	コレクタ	電流はコレクターを介して流れます

CAD表現

シンボル

フットプリント

3Dモデル

技術仕様

タイプ	パラメーター
マウント	表面マウント
取り付けタイプ	表面マウント
パッケージ /ケース	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ピンの数	3
トランジスタエレメント素材	シリコン
コレクター - エミッタのブレークダウン電圧	40V
要素の数	1
Hfe min	100
動作温度	150°C TJ
パッケージング	テープ＆リール（TR）
JESD-609コード	E3
パーツステータス	廃止
水分感度レベル（MSL）	1（無制限）
終端の数	3
ECCNコード	ear99
端子仕上げ	マットティン（sn）
電圧 - 定格DC	40V
最大電力散逸	350MW
端子位置	デュアル
端子形式	カモメの翼
ピークリフロー温度（°C）	260
現在の評価	200mA
ベースパーツ番号	MMBT
ピンカウント	3
要素構成	シングル
電力散逸	350MW
トランジスタアプリケーション	切り替え
帯域幅製品を獲得します	270MHz
極性/チャネルタイプ	npn
トランジスタタイプ	npn
コレクターエミッター電圧（VCEO）	40V
最大コレクター電流	200mA
DC Current Gain（HFE）（MIN） @ IC、VCE	100 @ 10MA、1V
vce飽和（MAX） @ IB、IC	200mV @ 5MA、50mA
遷移周波数	270MHz
最大故障電圧	40V
コレクターベース電圧（VCBO）	60V
エミッターベース電圧（vebo）	6V
オフタイム-max（toff）	250ns
時間をオンにする-max（ton）	70ns
SVHCに到達します	SVHCなし
放射線硬化	いいえ
ROHSステータス	ROHS3準拠
鉛フリー	鉛フリー

特徴

特徴	説明
タイプ	NPN小さな信号トランジスタ
連続コレクター電流（IC）	200 ma
エミッタ電圧（VCE）へのコレクター	40 v
エミッタからベース電圧（VEB）	6 v
現在のゲイン（HFE）	100〜300
遷移周波数	300 MHz
パッケージタイプ	SOT23（SMD）

機械的特性

パッケージ

代替案

• BC549

•BC636

• BC639

•2N2222 to-92

•2N2222〜18

• 2N2369

• 2N3055

• 2N3906

• 2SC5200

MMBT3904トランジスタの多様な使用

MMBT3904トランジスタは、小さな負荷スイッチとして機能する顕著な能力を備えた、ポータブルデバイスの模範的なコンポーネントであることが証明されています。このコンポーネントは輝き、バッテリー駆動のデバイスに使用されるエネルギーの保存と運用上の有効性を支援します。携帯テクノロジーに役立つだけでなく、そのアプリケーションは、テレビや各種家電製品などの家電に拡張されます。最大40Vまでの電圧を制御する機能を備えたさまざまな電圧要件への適応性は、多様な電気状況で信頼性を維持しながらデバイスのパフォーマンスを向上させる機能を示しています。

多くの実用的なアプリケーションでは、このタイプのトランジスタを採用すると、回路設計を大幅に改善し、コンパクトさと強力な機能の均衡を実現できます。複雑な運用特性を把握することで、製品の品質の向上に役立ちます。さらに、Consumer Electronicsでの一貫したパフォーマンスは、耐久性と維持された信頼性を長期にわたって強調しています。

メーカー

Stmicroelectronicsによって製造されたMMBT3904トランジスタは、マイクロエレクトロニクスの境界を押し広げることに対するブランドの献身を意味します。半導体ドメインの著名なエンティティとして、stmicroelectronicsは業界に大きな影響を与え、その広大な知的財産ポートフォリオと高度なシステムオンチップ（SOC）機能によって支えられています。これらの強みは、世界中の技術的進歩の原動力として会社を位置付けるために団結しています。

急速に進化する半導体セクターは、stmicroelectronicsの提供にカプセル化された変換電位を明らかにしています。IoTデバイスの台頭とエネルギー効率の高いソリューションの急成長のニーズは、Stmicroelectronicsがその専門的な知識と革新的なアプローチで巧みにナビゲートする道を作り出します。

Stmicroelectronicsは、現在の技術を強化するだけでなく、業界の軌跡を推進する先駆的な革新にも、研究開発の取り組みを約束します。そのイニシアチブを通じて、同社は、半導体の景観における進歩を促進し、新しい方向性を刺激する新鮮な方法論を継続的に探求しています。

データシートPDF

MMBT3904データシート：

MMBT3904 datasheet.pdf