11/8/2024で公開されています 84

DP83822IRHBR：代替、ピンアウト、およびデータシート

DP83822IRHBRを満たしています。DP83822IRHBRは、日常的な技術と頑丈な産業用アプリケーションの両方で波を作っているシンプルなイーサネットトランシーバーです。この小さなデバイスは控えめに思えるかもしれませんが、ネットワーク接続を迅速で信頼性、柔軟性にする上で大きな役割を果たします。この記事では、DP83822IRHBRを特別なものにしているものを分解し、その主な機能と使用方法を調査します。ネットワークの速度の向上から信頼性の向上まで、この小さなトランシーバーには多くの提供があります。このガイドでは、DP83822IRHBRがネットワークをより強く賢くする方法を明確で実践的に見てください。

カタログ

DP83822IRHBRとは何ですか？

DP83822IRHBR トランシーバーは、10Base-TE、100Base-TX、100Base-FXなどのイーサネット標準の幅広いサポートに優れています。その機能は、MII、RMII、RGMIIなどのインターフェイスを介してメディアアクセスコントローラーへの接続を強化します。この汎用性は、相互運用性を強化し、既存のシステムへのシームレスな統合を促進するため、さまざまなアプリケーションシナリオで高く評価されています。

DP83822IRHBRトランシーバーは、適応可能な電源構成により、3.3 V、2.5 V、または1.8 VのI/O電圧を処理できます。異なるアナログ電圧を管理する機能は、エネルギー需要を削減し、省エネソリューションとして配置します。自動電源設定機能により、電圧調整が簡素化され、多様なアプリケーション全体でより効率的な動作が可能になります。

DP83822IRHBRの自動電力構成は、さまざまな構成に合わせて電圧設定を最適化し、手動調整を最小限に抑えるため、有益です。この実用的なメカニズムは、効率を具体化し、頻繁に業界の実践におけるよりスムーズなセットアップにつながります。異なる電力ニーズに対するトランシーバーの適応性は、展開中の時間とコストを節約するだけでなく、継続的なシステムの安定性と信頼性をサポートします。

DP83822IRHBR PIN構成

DP83822IRHBRシンボル、フットプリント、およびCADモデル

DP83822IRHBRトランシーバーの機能

回復力のある構造と標準コンプライアンス

タフネスと信頼性のために設計されたトランシーバーには、8KV ESD接触排出保護などの機能が含まれています。このような保護は、産業環境などの頻繁な静電放電を起こしやすい環境で役割を果たします。CISPR 22排出基準に準拠することにより、トランシーバーは近くの電子デバイスへの干渉を最小限に抑え、複雑な電子エコシステム内の運用的相乗効果とデバイスの完全性を高めます。

エネルギー意識と電圧の柔軟性

トランシーバーは、低消費電力で知られており、さまざまなアプリケーションニーズに適応できるように、さまざまな電圧オプションをサポートしています。この柔軟性は、デバイスの構成を調整して、パフォーマンスの需要と省エネの間の魅力的なバランスをとるのに役立ちます。IEEE 802.3AZエネルギー効率基準へのコンプライアンスは、低データアクティビティの期間中に消費電力を削減するデバイスの可能性を強調し、より持続可能な電子慣行への動きを反映しています。

洗練されたコミュニケーション機能

トランシーバーは、リモートネットワーク管理のために低電力状態からの効率的な遷移を容易にするウェイクオンラーン機能を含めるために注目に値します。ケーブル診断やループバックテストを含む診断ツールのコレクションは、ネットワークのトラブルに対処するための深い洞察を提供し、信頼できるネットワークパフォーマンスの維持における重要性を示しています。

スマート接続と正確なタイミング

堅牢な接続モードでの自動クロスオーバーをサポートすると、トランシーバーはクロスオーバーケーブルの必要性を無効にし、利便性を高め、ネットワーク構成を合理化します。正確なタイミングプロトコルをサポートする能力は、正確性と同期を必要とするアプリケーションに有益であり、現代のコミュニケーションネットワークの精度に重点を置いていることを強調しています。

DP83822IRHBRの機能ブロック図

DP83822IRHBR最適機能条件

パラメーター	分	nom	マックス	ユニット
供給電圧I/O（1.8-Vオプション）	1.71	1.8	1.89
供給電圧I/O（2.5-Vオプション）	2.375	2.5	2.625	v
供給電圧I/O（3.3-Vオプション）	3.15	3.3	3.45	v
電源電圧アナログ（3.3-Vオプション）	3.15	3.3	3.45	v
電源電圧アナログ（1.8-Vオプション）	1.71	1.8	1.89	v
供給電圧センタータップ（3.3-Vオプション）磁気中心 タップします	3.15	3.3	3.45	v
供給電圧アナログ（1.8Vオプション）磁気中心タップ	1.71	1.8	1.89	v
周囲温度：DP83822IおよびDP83822IF	-40		85	op
周囲温度：DP83822HおよびDP83822HF	-40		125

DP83822IRHBRの代替

部品番号	説明	メーカー
DP83822HRHBT	拡張温度、堅牢 低電力10/100-MbpsイーサネットPHYトランシーバー16 kv ESD、32-VQFN、-40 125°Cまで	テキサスの楽器
DP83822IFRHBR	32-VFQFN露出パッド、データレート100 kbps、温度 グレード産業、ケーブルの長さ150 m、電圧-Supply1.71V〜3.45V	テキサスの楽器

DP83822IRHBR技術仕様

タイプ	パラメーター
ライフサイクルステータス	アクティブ（最終更新：5日前）
マウント	表面マウント
パッケージ /ケース	32-VQFN露出パッド
パッケージング	テープ＆リール（TR）
pbfreeコード	はい
水分感度レベル（MSL）	2（1年）
端子仕上げ	ニッケル/パラジウム/金（Ni/Pd/Au）
最小動作温度	-40°C
電圧 - 供給	1.71V〜3.45V
端子形式	リードなし
供給電圧	1.8V
温度グレード	産業
ケーブルの長さ	150m
トランシーバーの数	4
長さ	5mm
厚さ	900μm
鉛フリー	鉛フリー
工場のリードタイム	12週間
取り付けタイプ	表面マウント
ピンの数	32
JESD-609コード	E4
パーツステータス	アクティブ
終端の数	32
最大動作温度	85°C
アプリケーション	イーサネット
端子位置	クワッド
関数の数	1
ベースパーツ番号	DP83822
インタフェース	mii、rmii
データレート	100 kbps
身長	1mm
幅	5mm
ROHSステータス	ROHS3準拠

DP83822IRHBRのアプリケーション

モーター制御システム

モーター制御システムでは、さまざまなコンポーネントの操作を同期するために効果的な通信を維持する必要があります。DP83822IRHBRは、環境の課題に耐える高精度と能力を備えたシステムの信頼性を高めます。コントローラーとモーターコンポーネント間の最適な相互作用を促進することは、このような技術に大きく依存し、要求の厳しい条件でもスムーズな機能を確保します。

産業自動化における役割

DP83822IRHBRは、機械の性能とシステム統合の強化に役割を果たします。安定したデータ送信をサポートすることにより、ダウンタイムを減らし、運用効率を高めるのに役立ちます。実装シナリオからの観察は、自動システム全体で滑らかで途切れないプロセスのための堅牢な通信経路を維持する必要性を強調しています。したがって、生産性と精度の改善は、多くの場合、使用中の通信ハードウェアの機能に直接リンクされます。

イーサネットアプリケーションへの貢献

イーサネットアプリケーションには、LATENCYと迅速なデータ交換が必要です。これは、DP83822IRHBRが高度な仕様を考慮して優れている領域です。これらの設定での効率的なデータ管理は、応答性とシームレスなシステム統合を達成するための中心です。迅速な通信に依存するシステムからの洞察は、複数のデバイス間の調整が、このような洗練されたハードウェアソリューションによって提供される利点に頻繁に依存していることを明らかにしています。したがって、DP83822IRHBRのようなテクノロジーを使用すると、システム接続と瞬時データ処理の進歩を推進できます。

DP83822IRHBRアプリケーション回路設計

DP83822IRHBRのパッケージ

DP83822IRHBRメーカー情報

テキサス州ダラスに本拠を置くテキサスインストゥルメントは、イノベーションとDP83822IRHBRのような製品の作成をリードすることにより、半導体の世界に大きく影響します。統合回路ドメインの最前線として、同社は広大な国際ネットワークとさまざまな製品スペクトルを利用して、新しい技術の視野を探求しています。この最前線の位置は、独自の市場優位性を維持しながら、進歩への献身を強調する特許の実質的な収集によって維持されています。テキサスインスツルメンツのリーチは、ダラス財団をはるかに超えており、特定の地域の要件向けに設計されたカスタマイズされたソリューションでグローバル市場に影響を与えます。これらのローカライズされた要求と国際戦略を同期することにより、同社はそのリーチを強化し、常に市場の存在を増加させます。テキサスインストゥルメントの開発パスは、半導体エコシステム内のより大きなトレンドに対する意味のある洞察を提示します。彼らの成長は、技術の進歩と戦略的計画との関係を明らかにします。

データシートPDF

DP83822IRHBRデータシート：

2.73khz.pdf

DP83822データシートCHG 27/201.2019.pdf

DP83822YYY 16/APR/2018.pdf

円筒形のバッテリーホルダー.pdf

DP83822HRHBTデータシート：

2.73khz.pdf

DP83822データシートCHG 27/201.2019.pdf

DP83822YYY 16/APR/2018.pdf

DP83822IFRHBRデータシート：

2.73khz.pdf

DP83822データシートCHG 27/201.2019.pdf

DP83822YYY 16/APR/2018.pdf

円筒形のバッテリーホルダー.pdf