CVFD20065Aの技術仕様
Cree Wolfspeed - CVFD20065A技術仕様、属性、パラメーター、およびCree Wolfspeed - CVFD20065A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Wolfspeed | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.45V @ 20A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 | |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| シリーズ | Z-Rec® | |
| 逆回復時間（trrの） | 0ns | |
| パッケージング | Tube | |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 52 Weeks | |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky | |
| 詳細な説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 57A (DC) Through Hole TO-220-2 | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 80µA @ 650V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 57A (DC) | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 1100pF @ 0V, 1MHz |
右側の三つのパーツはCree Wolfspeed CVFD20065Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CVFD20065A | DSA35-12A | 1N2800 | BYT54J-TAP |
| メーカー | Cree Wolfspeed | IXYS | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 逆回復時間（trrの） | 0ns | - | 5 µs | 100 ns |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Through Hole |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650V | 1200 V | 400 V | 600 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Vrと、F @キャパシタンス | 1100pF @ 0V, 1MHz | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 | DO-203AB | DO-5 (DO-203AB) | SOD-57 |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 57A (DC) | 49A | 5A | 1.25A |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.45V @ 20A | 1.55 V @ 150 A | 1.19 V @ 90 A | 1.5 V @ 1 A |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C | -40°C ~ 180°C | -65°C ~ 200°C | -55°C ~ 175°C |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| シリーズ | Z-Rec® | - | - | - |
| パッケージング | Tube | - | - | - |
| 詳細な説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 57A (DC) Through Hole TO-220-2 | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | SOD-57, Axial |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 80µA @ 650V | 4 mA @ 1200 V | 10 µA @ 400 V | 5 µA @ 600 V |
| メーカーの標準リードタイム | 52 Weeks | - | - | - |
CVFD20065A - Cree WolfspeedのCVFD20065A PDFデータテーブルとCree Wolfspeedドキュメントをダウンロード
DSA35-12AIXYSDIODE AVAL 1.2KV 49A DO203AB1N2800Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 5A DO5BYT54J-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 1.25A SOD571N3973Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA
MA22D3900LPanasonic Electronic ComponentsDIODE SCHOTT 40V 1.57A MINI2-F1BYT52K-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 800V 1.4A SOD57
SDM1L30CSP-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTT 30V 1A X2-WLB2010-2
RS1DB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMB
NSR0530HT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323
1N248BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 40A DO5
R6221230PSOOPowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 300A DO200AASB540-ADiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 40V 5A DO201AD
RS1DHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
C3D08065AWolfspeed, Inc.DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-270HFR140Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 70A DO5RA201248XXPowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 4800A POW-R-DISC
AR1PJHM3/84AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA
RGP10DFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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