C3M0075120Kの技術仕様
Wolfspeed, Inc. - C3M0075120K技術仕様、属性、パラメーター、およびWolfspeed, Inc. - C3M0075120K仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Wolfspeed | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 5mA | |
| Vgs（最大） | +19V, -8V | |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L | |
| シリーズ | C3M™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 20A, 15V | |
| 電力消費（最大） | 113.6W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1350 pF @ 1000 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 51 nC @ 15 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | |
| 基本製品番号 | C3M0075120 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはWolfspeed, Inc. C3M0075120Kと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | C3M0075120K | STB42N65M5 | C3M0060065K | C3M0032120D |
| メーカー | Wolfspeed, Inc. | STMicroelectronics | Wolfspeed, Inc. | Wolfspeed, Inc. |
| 電力消費（最大） | 113.6W (Tc) | 190W (Tc) | 150W (Tc) | 283W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) | 33A (Tc) | 37A (Tc) | 63A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V | 10V | 15V | 15V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1350 pF @ 1000 V | 4650 pF @ 100 V | 1020 pF @ 600 V | 3357 pF @ 1000 V |
| Vgs（最大） | +19V, -8V | ±25V | +15V, -4V | +15V, -4V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 20A, 15V | 79mOhm @ 16.5A, 10V | 79mOhm @ 13.2A, 15V | 43mOhm @ 40A, 15V |
| シリーズ | C3M™ | MDmesh™ V | C3M™ | C3M™ |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 5mA | 5V @ 250µA | 3.6V @ 5mA | 3.6V @ 11.5mA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L | D2PAK | TO-247-4L | TO-247-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-247-4 | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 51 nC @ 15 V | 100 nC @ 10 V | 46 nC @ 15 V | 114 nC @ 15 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 650 V | 650 V | 1200 V |
| 基本製品番号 | C3M0075120 | STB42 | C3M0060065 | C3M0032120 |
C3M0075120K - Wolfspeed, Inc.のC3M0075120K PDFデータテーブルとWolfspeed, Inc.ドキュメントをダウンロード
STB42N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 33A D2PAKC3M0060065KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 650V 37A TO247-4LC3M0032120DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3C3M0065090DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 36A TO247-3C3M0120090DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 23A TO247-3C3M0021120KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
SI4778DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 8A 8SOC3M0015065KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 650V 120A TO247-4LC3M0120090JWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7C3M0032120KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LC3M0040120KWolfspeed, Inc.1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0280090DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
IPB110P06LMATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 100A TO263-3C3M0075120DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
C3M0075120D MOSCree LEDC3M0120100KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4LC3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7C3M0021120DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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