VQ1001P-2の技術仕様
Vishay Siliconix - VQ1001P-2技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - VQ1001P-2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-DIP | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.75Ohm @ 200mA, 5V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | - | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 110pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 830mA | |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel | |
| 基本製品番号 | VQ1001 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix VQ1001P-2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | VQ1001P-2 | AO4807 | DMP2200UDW-7 | DMN2016LHAB-7 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 110pF @ 15V | 760pF @ 15V | 184pF @ 10V | 1550pF @ 10V |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 450mW | 1.2W |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 20V | 20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 2.4V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.1V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-UDFN Exposed Pad |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - | 16nC @ 10V | 2.1nC @ 4.5V | 16nC @ 4.5V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 830mA | 6A | 900mA | 7.5A |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.75Ohm @ 200mA, 5V | 35mOhm @ 6A, 10V | 260mOhm @ 880mA, 4.5V | 15.5mOhm @ 4A, 4.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-DIP | 8-SOIC | SOT-363 | U-DFN2030-6 (Type B) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | VQ1001 | AO480 | DMP2200 | DMN2016 |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VQ1001P-2 - Vishay SiliconixのVQ1001P-2 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
AO4807Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOICDMP2200UDW-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
UPA1763G-E2-ARenesas Electronics America IncTRANSISTORVQ1001P-7SIL
VQ1004PVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205VQ1004JSILVQ1000N6SI
FDMS7600ASFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDS6912AFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIVQ1001PVishay SiliconixMOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIPZXMC4A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOICVQ1000JSILHUF76113DK8TFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETVQ1006PVishay SiliconixMOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIPSSD2007ATFonsemiMOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOICVQ1001JSILFDJ1028NFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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