TP0610K-T1の技術仕様
Vishay Siliconix - TP0610K-T1技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - TP0610K-T1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6Ohm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 350mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.7 nC @ 15 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 185mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | TP0610 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix TP0610K-T1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | TP0610K-T1 | TP0610T-G | TP0610K-T1-GE3 | TP0610K-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Microchip Technology | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| シリーズ | TrenchFET® | - | TrenchFET® | TrenchFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | TP0610 | TP0610 | TP0610 | TP0610 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V | 23 pF @ 25 V | 23 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 350mW (Ta) | 360mW (Ta) | 350mW (Ta) | 350mW (Ta) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 2.4V @ 1mA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 185mA (Ta) | 120mA (Tj) | 185mA (Ta) | 185mA (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.7 nC @ 15 V | - | 1.7 nC @ 15 V | 1.7 nC @ 15 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6Ohm @ 500mA, 10V | 10Ohm @ 200mA, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | TO-236AB (SOT23) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
TP0610K-T1 - Vishay SiliconixのTP0610K-T1 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
TP0610Silicon Power
TP0604N3SUPERTEXTP0610NMEGAMOS
TP0601K-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayTP0610K-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishayTP0606N5SITP0610T-GMicrochip TechnologyMOSFET P-CH 60V 120MA TO236ABTP05DB12S12TOPPOWERTP0610TElectro-Films (EFI) / VishayTP0610LElectro-Films (EFI) / VishayTP0610L-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishayTP0610K-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3TP0602N3SUPERTEXTP0606N3SUPERTEXTP0610K-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishayTP060T-T1Electro-Films (EFI) / VishayTP0610K-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
TP0606N3-GMicrochip TechnologyMOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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