TP0101K-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - TP0101K-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - TP0101K-T1-E3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 50µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
シリーズ | - | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 650mOhm @ 580mA, 4.5V | |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
パッケージ | Cut Tape (CT) |
製品属性 | 属性値 | |
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装着タイプ | Surface Mount | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 580mA (Ta) | |
基本製品番号 | TP0101 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix TP0101K-T1-E3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | TP0101K-T1-E3 | TP0104N8 | TP0101TS-T1 | TP0082/D |
メーカー | Vishay Siliconix | SUPERTEX | Electro-Films (EFI) / Vishay | 2B |
装着タイプ | Surface Mount | - | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 2.2 nC @ 4.5 V | - | - | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 650mOhm @ 580mA, 4.5V | - | - | - |
FETタイプ | P-Channel | - | - | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 50µA | - | - | - |
シリーズ | - | - | - | - |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 580mA (Ta) | - | - | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | - | - | - |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - | - |
パッケージ | Cut Tape (CT) | - | - | - |
FET特長 | - | - | - | - |
基本製品番号 | TP0101 | - | - | - |
TP0101K-T1-E3 - Vishay SiliconixのTP0101K-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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