SUP85N03-04P-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SUP85N03-04P-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SUP85N03-04P-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.3mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.75W (Ta), 166W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 90 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 85A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SUP85 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SUP85N03-04P-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SUP85N03-04P-E3 | SUP85N02-03-E3 | SUP85N03-3M6P-GE3 | SUP85N10-10-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | 21250 pF @ 20 V | 3535 pF @ 15 V | 6550 pF @ 25 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.3mOhm @ 30A, 10V | 3mOhm @ 30A, 4.5V | 3.6mOhm @ 22A, 10V | 10.5mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±8V | ±20V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 基本製品番号 | SUP85 | SUP85 | SUP85 | SUP85 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 20 V | 30 V | 100 V |
| 電力消費（最大） | 3.75W (Ta), 166W (Tc) | 250W (Tc) | 3.1W (Ta), 78.1W (Tc) | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 85A (Tc) | 85A (Tc) | 85A (Tc) | 85A (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 90 nC @ 10 V | 200 nC @ 4.5 V | 100 nC @ 10 V | 160 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 450mV @ 2mA (Min) | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
SUP85N03-04P-E3 - Vishay SiliconixのSUP85N03-04P-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SUP8560-VPRDSUP-TECHSUP85N02-03-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 85A TO220ABSUP85N02
SUP85N03-3m6PElectro-Films (EFI) / VishaySUP85N02-03SILICONIXSUP85N03-07PElectro-Films (EFI) / VishaySUP85N03-3M6P-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 85A TO220ABSUP8520-28AN5G/3TRSUP-TECHSUP85N10-10Electro-Films (EFI) / VishaySUP85N10-10-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 85A TO220ABSUP8520-18BN5G/3TRSUP-TECHSUP8520-28BN5G/3TRUP-TECHSUP8560-HPRDSUP-TECHSUP85N10-10-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 85A TO220ABSUP85N03-04PVIHSYSUP85N08-08VBSEMISUP85N04-03Electro-Films (EFI) / VishaySUP8520-33BN5G/3TRSUP-TECH| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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