SUP60N10-18P-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SUP60N10-18P-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SUP60N10-18P-E3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18.3mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.75W (Ta), 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SUP60 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SUP60N10-18P-E3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SUP60N10-18P-E3 | SUP70040E-GE3 | SUP70060E-GE3 | SUP60N06-12P-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 8V, 10V | 7.5V, 10V | 7.5V, 10V | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 100 V | 60 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 電力消費（最大） | 3.75W (Ta), 150W (Tc) | 375W (Tc) | 200W (Tc) | 3.25W (Ta), 100W (Tc) |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | ThunderFET® | TrenchFET® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | 120A (Tc) | 131A (Tc) | 60A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 基本製品番号 | SUP60 | SUP70040 | SUP70060 | SUP60 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 75 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | 55 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18.3mOhm @ 15A, 10V | 4mOhm @ 20A, 10V | 5.8mOhm @ 30A, 10V | 12mOhm @ 30A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2600 pF @ 50 V | 5100 pF @ 50 V | 3330 pF @ 50 V | 1970 pF @ 30 V |
SUP60N10-18P-E3 - Vishay SiliconixのSUP60N10-18P-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SUP70040E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 120A TO220ABSUP60N06-18-E3VBSEMI
SUP60N10-18PElectro-Films (EFI) / VishaySUP70060E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 131A TO220ABSUP60N06-18VISHSUP60N06-12P-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABSUP65P04-15-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
SUP70101EL-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 120A TO220ABSUP60N10-16L-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 60A TO220ABSUP60N10-16LElectro-Films (EFI) / VishaySUP65P06-20Electro-Films (EFI) / VishaySUP70090E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 50A TO220ABSUP60N06-12P-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 60A TO220ABSUP65P04-15VISHSUP70090EElectro-Films (EFI) / VishaySUP60N02-4M5PElectro-Films (EFI) / VishaySUP60N06-12PElectro-Films (EFI) / VishaySUP70101ELElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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