SQM120P10_10M1LGE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SQM120P10_10M1LGE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SQM120P10_10M1LGE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 (D²Pak) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.1mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SQM120 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SQM120P10_10M1LGE3 | SQM120N10-3M8_GE3 | SQM200N04-1M1L_GE3 | SQM120P06-07L_GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 375W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 40 V | 60 V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 基本製品番号 | SQM120 | SQM120 | SQM200 | SQM120 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) | TO-263-7 | TO-263 (D²Pak) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10.1mOhm @ 30A, 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 1.1mOhm @ 30A, 10V | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 200A (Tc) | 120A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 190 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V | 413 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9000 pF @ 25 V | 7230 pF @ 25 V | 20655 pF @ 25 V | 14280 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
SQM120P10_10M1LGE3 - Vishay SiliconixのSQM120P10_10M1LGE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SQM120N10-3M8_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 120A TO263SQM120P06-07LVISHSQM200N04-1M1L_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
SQM120N10-3M8-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM120P06-07L_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 120A TO263SQM40031EL_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 120A D2PAKSQM120N10-3M8VISHSQM40P10-40LVISHSQM25N15-52VISHSQM120P04-04LVISHSQM40N15-38-GE3VBSEMISQM40N15-38VISHSQM40041EL_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 120A TO263SQM40N10-30-GE3VBSEMISQM25N15-52-GE3VBSEMISQM120N10-09-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM120P04-04L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM40N10-30VISH| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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