SQJQ900E-T1_GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SQJQ900E-T1_GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SQJQ900E-T1_GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 Dual | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.9mOhm @ 20A, 10V | |
電力 - 最大 | 75W | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 8 x 8 Dual | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5900pF @ 20V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120nC @ 10V | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) | |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
基本製品番号 | SQJQ900 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SQJQ900E-T1_GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
---|---|---|---|---|
部品型番 | SQJQ900E-T1_GE3 | SQJB68EP-T1_GE3 | SQJB60EP-T1_GE3 | SQJB40EP-T1_GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
FET特長 | - | - | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 8 x 8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V | 100V | 60V | 40V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5900pF @ 20V | 280pF @ 25V | 1600pF @ 25V | 1900pF @ 25V |
基本製品番号 | SQJQ900 | SQJB68 | SQJB60 | SQJB40 |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
電力 - 最大 | 75W | 27W | 48W | 34W |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) | 11A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.9mOhm @ 20A, 10V | 92mOhm @ 4A, 10V | 12mOhm @ 10A, 10V | 8mOhm @ 8A, 10V |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 120nC @ 10V | 8nC @ 10V | 30nC @ 10V | 35nC @ 10V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
SQJQ900E-T1_GE3 - Vishay SiliconixのSQJQ900E-T1_GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
---|---|---|
地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
---|---|
発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか? をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。