SQJ951EP-T1_BE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SQJ951EP-T1_BE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SQJ951EP-T1_BE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual | |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 7.5A, 10V | |
電力 - 最大 | 56W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1680pF @ 10V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 50nC @ 10V | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) | |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
基本製品番号 | SQJ951 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SQJ951EP-T1_BE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SQJ951EP-T1_BE3 | SQJ952EP-T1_GE3 | SQJ940EP-T1_GE3 | SQJ912AEP-T1_GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 60V | 40V | 40V |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 50nC @ 10V | 30nC @ 10V | 20nC @ 20V | 38nC @ 10V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 7.5A, 10V | 20mOhm @ 10.3A, 10V | 16mOhm @ 15A, 10V | 9.3mOhm @ 9.7A, 10V |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
電力 - 最大 | 56W (Tc) | 25W (Tc) | 48W, 43W | 48W |
基本製品番号 | SQJ951 | SQJ952 | SQJ940 | SQJ912 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | PowerPAK® SO-8 Dual |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
FET特長 | - | - | Logic Level Gate | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) | 23A (Tc) | 15A (Ta), 18A (Tc) | 30A |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1680pF @ 10V | 1800pF @ 30V | 896pF @ 20V | 1835pF @ 20V |
SQJ951EP-T1_BE3 - Vishay SiliconixのSQJ951EP-T1_BE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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