SQ4917EY-T1_BE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SQ4917EY-T1_BE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SQ4917EY-T1_BE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 48mOhm @ 4.3A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 5W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1910pF @ 30V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SQ4917 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SQ4917EY-T1_BE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SQ4917EY-T1_BE3 | SQ4940AEY-T1_BE3 | SQ4940AEY-T1_GE3 | SQ4917EY-T1_GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | 8A (Tc) | 8A | 8A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1910pF @ 30V | 741pF @ 20V | 741pF @ 20V | 1910pF @ 30V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TA) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 65nC @ 10V | 43nC @ 10V | 43nC @ 10V | 65nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力 - 最大 | 5W (Tc) | 4W (Tc) | 4W | 5W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 48mOhm @ 4.3A, 10V | 24mOhm @ 5.3A, 10V | 24mOhm @ 5.3A, 10V | 48mOhm @ 4.3A, 10V |
| 基本製品番号 | SQ4917 | SQ4940 | SQ4940 | SQ4917 |
| FET特長 | - | - | Logic Level Gate | - |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 40V | 40V | 60V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
SQ4917EY-T1_BE3 - Vishay SiliconixのSQ4917EY-T1_BE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SQ48T04120-NBA0Bel Power SolutionsDC DC CONVERTER 12V 48W
SQ4920EY-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySQ4940AEY-T1_BE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
SQ4940AEY-T1-GE3VISSQ4917EY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySQ4940AEY-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOICSQ48T15033-NBA0GBel Power SolutionsDC DC CONVERTER 3.3V 50WSQ48T15025-NBA0Bel Power SolutionsDC DC CONVERTER 2.5V 38WSQ4917EY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQ48S10050-NS00GRPOWER
SQ48T15033-NBB0Bel Power SolutionsDC DC CONVERTER 3.3V 50WSQ4920EY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQ48T15033-NBC0GBel Power SolutionsDC DC CONVERTER 3.3V 50WSQ4936EY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQ48T15018-NBA0Bel Power SolutionsDC DC CONVERTER 1.8V 27WSQ48T05080-NAC0GBel Power SolutionsDC DC CONVERTER 8V 42WSQ4917EY-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SOSQ4940EY-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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