SQ2362ES-T1_GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SQ2362ES-T1_GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SQ2362ES-T1_GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 550 pF @ 30 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SQ2362 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SQ2362ES-T1_GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SQ2362ES-T1_GE3 | SQ2389ES-T1_GE3 | SQ2361ES-T1_BE3 | SQ2361ES-T1_GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A (Tc) | 4.1A (Tc) | 2.8A (Tc) | 2.8A (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | - |
| 基本製品番号 | SQ2362 | SQ2389 | SQ2361 | SQ2361 |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 40 V | 60 V | 60 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 95mOhm @ 4.5A, 10V | 94mOhm @ 10A, 10V | 177mOhm @ 2.4A, 10V | 177mOhm @ 2.4A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 550 pF @ 30 V | 420 pF @ 20 V | 550 pF @ 30 V | 550 pF @ 30 V |
| 電力消費（最大） | 3W (Tc) | 3W (Tc) | 2W (Tc) | 2W (Tc) |
SQ2362ES-T1_GE3 - Vishay SiliconixのSQ2362ES-T1_GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SQ2389ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
SQ2389ES-T1_BE3VishaySQ2389ESElectro-Films (EFI) / VishaySQ2362Electro-Films (EFI) / VishaySQ2391ES-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3SQ2362ES-T1-BE3Electro-Films (EFI) / VishaySQ2364EES-T1-GE3VishaySQ2389ES-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQ2362ESVishaySQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23SQ2398ESElectro-Films (EFI) / VishaySQ2389ES-T1Electro-Films (EFI) / VishaySQ2362ES-T1_BE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3SQ2361ES-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQ2364EES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3SQ2362ES-T1Electro-Films (EFI) / VishaySQ2362ES-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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