SISS98DN-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SISS98DN-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SISS98DN-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 | |
シリーズ | ThunderFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 105mOhm @ 7A, 10V | |
電力消費(最大) | 57W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 608 pF @ 100 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 7.5 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 14.1A (Tc) | |
基本製品番号 | SISS98 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SISS98DN-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SISS98DN-T1-GE3 | SISS63DN-T1-GE3 | SISS66DN-T1-GE3 | SISS65DN-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
電力消費(最大) | 57W (Tc) | 5W (Ta), 65.8W (Tc) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FET特長 | - | - | Schottky Diode (Body) | - |
FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 14 nC @ 7.5 V | 236 nC @ 8 V | 85.5 nC @ 10 V | 138 nC @ 10 V |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 105mOhm @ 7A, 10V | 2.7mOhm @ 15A, 10V | 1.38mOhm @ 20A, 10V | 4.6mOhm @ 15A, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V | 20 V | 30 V | 30 V |
Vgs(最大) | ±20V | ±12V | +20V, -16V | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 608 pF @ 100 V | 7080 pF @ 10 V | 3327 pF @ 15 V | 4930 pF @ 15 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 14.1A (Tc) | 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) | 49.1A (Ta), 178.3A (Tc) | 25.9A (Ta), 94A (Tc) |
シリーズ | ThunderFET® | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen III |
基本製品番号 | SISS98 | SISS63 | SISS66 | SISS65 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
SISS98DN-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSISS98DN-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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