SISS10ADN-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SISS10ADN-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SISS10ADN-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | +20V, -16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8S | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.65mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8S | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3030 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31.7A (Ta), 109A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SISS10 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SISS10ADN-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SISS10ADN-T1-GE3 | SISS27ADN-T1-GE3 | SISS05DN-T1-GE3 | SISS04DN-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) | 57W (Tc) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
| 基本製品番号 | SISS10 | SISS27 | SISS05 | SISS04 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +20V, -16V | ±20V | +16V, -20V | +16V, -12V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.65mOhm @ 15A, 10V | 5.1mOhm @ 15A, 10V | 3.5mOhm @ 10A, 10V | 1.2mOhm @ 15A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3030 pF @ 20 V | 4660 pF @ 15 V | 4930 pF @ 15 V | 4460 pF @ 15 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 10 V | 55 nC @ 4.5 V | 115 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31.7A (Ta), 109A (Tc) | 50A (Tc) | 29.4A (Ta), 108A (Tc) | 50.5A (Ta), 80A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
SISS10ADN-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSISS10ADN-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SISS27ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8SSISS05DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAKSISS04DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
SISH625DN-T1-GE3VishaySISS23DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySISS32ADN-T1-GE3VishaySISS26DN-T1-GE3VishaySISS02DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAKSISS32DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAKSISS23DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8SSISS27DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8SSISS26LDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAKSISH615ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAKSISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAKSISM661MX B1SISSISH472DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAKSISHA12ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAKSISM760LVSIS| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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