SIR878BDP-T1-RE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIR878BDP-T1-RE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIR878BDP-T1-RE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.4mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1850 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 7.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 42.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIR878 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIR878BDP-T1-RE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIR878BDP-T1-RE3 | SIR874DP-T1-GE3 | SIR873DP-T1-GE3 | SIR878DP-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.8V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 38 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 25 V | 150 V | 100 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14.4mOhm @ 15A, 10V | 9.4mOhm @ 10A, 10V | 47.5mOhm @ 10A, 10V | 14mOhm @ 15A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1850 pF @ 50 V | 985 pF @ 15 V | 1805 pF @ 75 V | 1250 pF @ 50 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 5W (Ta), 62.5W (Tc) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) | 104W (Tc) | 5W (Ta), 44.5W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Ta), 42.5A (Tc) | 20A (Tc) | 37A (Tc) | 40A (Tc) |
| 基本製品番号 | SIR878 | SIR874 | SIR873 | SIR878 |
SIR878BDP-T1-RE3 - Vishay SiliconixのSIR878BDP-T1-RE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIR874DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
SIR878ADP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR873DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8SIR882ADP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR880ADP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR872DPElectro-Films (EFI) / VishaySIR878DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8SIR878BDP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIR880DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR878ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8SIR878ADPElectro-Films (EFI) / VishaySIR876ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8SIR882ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8SIR872DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8SIR882DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8SIR880DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8SIR876DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8SIR880ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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