SIR680DP-T1-RE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIR680DP-T1-RE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIR680DP-T1-RE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.4V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.9mOhm @ 20A, 10V | |
電力消費(最大) | 104W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5150 pF @ 40 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 81 nC @ 7.5 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) | |
基本製品番号 | SIR680 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIR680DP-T1-RE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SIR680DP-T1-RE3 | SIR688DP-T1-GE3 | SIR698DP-T1-GE3 | SIR668ADP-T1-RE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.9mOhm @ 20A, 10V | 3.5mOhm @ 20A, 10V | 195mOhm @ 2.5A, 10V | 4.8mOhm @ 20A, 10V |
基本製品番号 | SIR680 | SIR688 | SIR698 | SIR668 |
FET特長 | - | - | - | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 7.5V, 10V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) | 60A (Tc) | 7.5A (Tc) | 93.6A (Tc) |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V | 60 V | 100 V | 100 V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.4V @ 250µA | 2.7V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5150 pF @ 40 V | 3105 pF @ 30 V | 210 pF @ 50 V | 3750 pF @ 50 V |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV |
電力消費(最大) | 104W (Tc) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) | 3.7W (Ta), 23W (Tc) | 104W (Tc) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 81 nC @ 7.5 V | 66 nC @ 10 V | 8 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V |
SIR680DP-T1-RE3 - Vishay SiliconixのSIR680DP-T1-RE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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