SIR608DP-T1-RE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIR608DP-T1-RE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIR608DP-T1-RE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 250µA | |
Vgs(最大) | +20V, -16V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.2mOhm @ 20A, 10V | |
電力消費(最大) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8900 pF @ 20 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 167 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 45 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 51A (Ta), 208A (Tc) | |
基本製品番号 | SIR608 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIR608DP-T1-RE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SIR608DP-T1-RE3 | SIR618DP-T1-GE3 | SIR624DP-T1-GE3 | SIR616DP-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.2mOhm @ 20A, 10V | 95mOhm @ 8A, 10V | 60mOhm @ 10A, 10V | 50.5mOhm @ 10A, 10V |
基本製品番号 | SIR608 | SIR618 | SIR624 | SIR616 |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 167 nC @ 10 V | 16 nC @ 7.5 V | 23 nC @ 7.5 V | 28 nC @ 7.5 V |
FET特長 | - | - | - | - |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
Vgs(最大) | +20V, -16V | ±20V | ±20V | ±20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 51A (Ta), 208A (Tc) | 14.2A (Tc) | 18.6A (Tc) | 20.2A (Tc) |
電力消費(最大) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 48W (Tc) | 52W (Tc) | 52W (Tc) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V | 7.5V, 10V | 7.5V, 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8900 pF @ 20 V | 740 pF @ 100 V | 1110 pF @ 100 V | 1450 pF @ 100 V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 45 V | 200 V | 200 V | 200 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV | ThunderFET® | ThunderFET® | ThunderFET® |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
SIR608DP-T1-RE3 - Vishay SiliconixのSIR608DP-T1-RE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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