SIR470DP-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIR470DP-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIR470DP-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5660 pF @ 20 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIR470 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIR470DP-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIR470DP-T1-GE3 | SIR468DP-T1-GE3 | SIR472ADP-T1-GE3 | SIR472DP-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 20A, 10V | 5.7mOhm @ 20A, 10V | 9mOhm @ 15A, 10V | 12mOhm @ 13.8A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 155 nC @ 10 V | 44 nC @ 10 V | 28 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5660 pF @ 20 V | 1720 pF @ 15 V | 1040 pF @ 15 V | 820 pF @ 15 V |
| 基本製品番号 | SIR470 | SIR468 | SIR472 | SIR472 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) | 40A (Tc) | 18A (Tc) | 20A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力消費（最大） | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 5W (Ta), 50W (Tc) | 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) | 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
SIR470DP-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIR470DP-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIR468DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SiR472ADPElectro-Films (EFI) / VishaySIR472ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8SiR470DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySiR472DPElectro-Films (EFI) / VishaySIR472DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8SiR466DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySIR466DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8SIR472DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySiR472DP MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR472DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR466DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR468DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR466DP-T1Electro-Films (EFI) / VishaySIR470DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR470DPElectro-Films (EFI) / VishaySiR468DP MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR4680DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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