SIHG70N60EF-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIHG70N60EF-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIHG70N60EF-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 38mOhm @ 35A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 520W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7500 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 380 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIHG70 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIHG70N60EF-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIHG70N60EF-GE3 | SIHG80N60E-GE3 | SIHG47N65E-GE3 | SIHG73N60E-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 基本製品番号 | SIHG70 | SIHG80 | SIHG47 | SIHG73 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 520W (Tc) | 520W (Tc) | 417W (Tc) | 520W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 650 V | 600 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 380 nC @ 10 V | 443 nC @ 10 V | 273 nC @ 10 V | 362 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 38mOhm @ 35A, 10V | 30mOhm @ 40A, 10V | 72mOhm @ 24A, 10V | 39mOhm @ 36A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7500 pF @ 100 V | 6900 pF @ 100 V | 5682 pF @ 100 V | 7700 pF @ 100 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) | 80A (Tc) | 47A (Tc) | 73A (Tc) |
| シリーズ | - | E | - | - |
SIHG70N60EF-GE3 - Vishay SiliconixのSIHG70N60EF-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIHG47N60SPBF G47N60SIRSIHG80N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
SIHG47N65E-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHH070N60EF-T1GE3VishaySIHG47N65E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 47A TO247ACSIHH068N60E-T1-GE3VishaySIHG47N60SElectro-Films (EFI) / VishaySIHH0605-R10MMAGSIHH100N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG73N60E-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHG73N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 73A TO247ACSIHG47N65EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG68N60EElectro-Films (EFI) / VishaySiHG73N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG47N60S-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
SIHG64N65E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 64A TO247ACSiHG70N60EF-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHG47N60EF-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 47A TO247AC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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