SIHG25N50E-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIHG25N50E-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIHG25N50E-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 145mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1980 pF @ 100 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIHG25 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIHG25N50E-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIHG25N50E-GE3 | SIHG32N50D-GE3 | SIHG22N60S-E3 | SIHG24N65E-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 600 V | 650 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 145mOhm @ 12A, 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 190mOhm @ 11A, 10V | 145mOhm @ 12A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | 390W (Tc) | 250W (Tc) | 250W (Tc) |
| 基本製品番号 | SIHG25 | SIHG32 | SIHG22 | SIHG24 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | - | ±30V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | 30A (Tc) | 22A (Tc) | 24A (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1980 pF @ 100 V | 2550 pF @ 100 V | 5620 pF @ 25 V | 2740 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 86 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 122 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
SIHG25N50E-GE3 - Vishay SiliconixのSIHG25N50E-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIHG32N50D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
SIHG33N60EVISHYA
SIHG22N60E-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHG22N60SElectro-Films (EFI) / VishaySIHG22N60S-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHG22N60S-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 22A TO247ACSIHG30N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG24N65E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO247ACSIHG23N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 23A TO247ACSIHG24N65E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO247ACSIHG33N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 33A TO247ACSIHG30N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 29A TO247ACSIHG33N60EFElectro-Films (EFI) / VishaySIHG28N65EF-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 28A TO247ACSIHG22N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 21A TO247ACSIHG22N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG24N65EElectro-Films (EFI) / VishaySiHG30N60AEL MOSElectro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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