SIC654ACD-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIC654ACD-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIC654ACD-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 5.5V | |
| 電圧 - 負荷 | 24V | |
| 技術 | Power MOSFET | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® MLP55-31L | |
| シリーズ | VRPower® | |
| RDSオン（標準） | 3Ohm LS + HS | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® MLP55-31L | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 出力構成 | Half Bridge |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 負荷タイプ | Inductive, Capacitive, Resistive | |
| インタフェース | Logic, PWM | |
| 特徴 | Bootstrap Circuit, Diode Emulation | |
| フォールトプロテクション | Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO | |
| 電流 - ピーク出力 | 100A | |
| 電流 - 出力/チャンネル | 50A | |
| 基本製品番号 | SIC654 | |
| アプリケーション | General Purpose |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIC654ACD-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIC654ACD-T1-GE3 | SIC652CD-T1-GE3 | SIC632ACD-T1-GE3 | SIC632CD-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| アプリケーション | General Purpose | General Purpose | Synchronous Buck Converters | Synchronous Buck Converters |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V | 4.5V ~ 5.5V |
| 基本製品番号 | SIC654 | SIC652 | SIC632 | SIC632 |
| インタフェース | Logic, PWM | Logic, PWM | PWM | PWM |
| 出力構成 | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge | Half Bridge |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 出力/チャンネル | 50A | 55A | 50A | 50A |
| 電流 - ピーク出力 | 100A | 100A | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® MLP55-31L | PowerPAK® MLP55-31L | PowerPAK® MLP55-31L | PowerPAK® MLP55-31L |
| 特徴 | Bootstrap Circuit, Diode Emulation | Bootstrap Circuit, Diode Emulation | Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag | Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag |
| 電圧 - 負荷 | 24V | 24V | 4.5V ~ 24V | 4.5V ~ 24V |
| 負荷タイプ | Inductive, Capacitive, Resistive | Inductive, Capacitive, Resistive | Inductive | Inductive |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® MLP55-31L | PowerPAK® MLP55-31L | PowerPAK® MLP55-31L | PowerPAK® MLP55-31L |
| フォールトプロテクション | Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO | Over Current, Over Temperature, Shoot-Through, UVLO | UVLO | UVLO |
| 技術 | Power MOSFET | Power MOSFET | Power MOSFET | Power MOSFET |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | VRPower® | VRPower® | VRPower® | VRPower® |
| RDSオン（標準） | 3Ohm LS + HS | 3Ohm LS + HS | - | - |
SIC654ACD-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIC654ACD-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIC649ACD-T1-GE3Vishay
SIC7305A01-EOXOAMI Semiconductor/onsemi
SIC7309X01Samsung SemiconductorSIC652CD-T1-GE3Vishay SiliconixIC HALF BRIDGE DRIVER 55A PPAKSIC769AElectro-Films (EFI) / VishaySIC639Electro-Films (EFI) / VishaySIC653ACD-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIC645AER-T1-GE3VishaySIC769CD-TElectro-Films (EFI) / VishaySIC632ACD-T1-GE3Vishay SiliconixIC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAKSIC660CD-T1-GE3VishaySIC632CD-T1-GE3Vishay SiliconixIC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAKSIC634CD-T1-GE3Vishay SiliconixIC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAKSIC639CD-T1-GE3Vishay
SIC769ACD-T1-GE3Vishay SiliconixIC HALF BRIDGE DRIVER 35A PPAKSIC7309X01-E0R0Samsung SemiconductorSIC762CD-T1-GE3Vishay SiliconixIC HALF BRIDGE DRIVER 35A PPAKSIC654CD-T1-GE3Vishay SiliconixIC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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