SIB437EDKT-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIB437EDKT-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIB437EDKT-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 700mV @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±5V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® TSC75-6 | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 34mOhm @ 3A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® TSC-75-6 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.2V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 8 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Tc) | |
基本製品番号 | SIB437 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIB437EDKT-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SIB437EDKT-T1-GE3 | SIB406EDK-T1-GE3 | SIB800EDK-T1-GE3 | SIB417AEDK-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
FET特長 | - | - | Schottky Diode (Isolated) | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Tc) | 6A (Tc) | 1.5A (Tc) | 9A (Tc) |
基本製品番号 | SIB437 | SIB406 | SIB800 | SIB417 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 8 V | 20 V | 20 V | 8 V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® TSC75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 700mV @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
電力消費(最大) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) | 1.95W (Ta), 10W (Tc) | 1.1W (Ta), 3.1W (Tc) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Vgs(最大) | ±5V | ±12V | ±6V | ±5V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.2V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.2V, 4.5V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® TSC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 | PowerPAK® SC-75-6 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 34mOhm @ 3A, 4.5V | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V | 225mOhm @ 1.6A, 4.5V | 32mOhm @ 3A, 4.5V |
FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 10 V | 1.7 nC @ 4.5 V | 18.5 nC @ 5 V |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | LITTLE FOOT® | TrenchFET® |
SIB437EDKT-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIB437EDKT-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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