SIA917DJ-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIA917DJ-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIA917DJ-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 110mOhm @ 2.5A, 4.5V | |
電力 - 最大 | 6.5W | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 250pF @ 10V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9nC @ 10V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.5A | |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
基本製品番号 | SIA917 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIA917DJ-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SIA917DJ-T1-GE3 | SIA918EDJ-T1-GE3 | SIA913ADJ-T1-GE3 | SIA912DJ-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 110mOhm @ 2.5A, 4.5V | 58mOhm @ 3A, 4.5V | 61mOhm @ 3.6A, 4.5V | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.5A | 4.5A (Tc) | 4.5A | 4.5A |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 250pF @ 10V | - | 590pF @ 6V | 400pF @ 6V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9nC @ 10V | 5.5nC @ 4.5V | 20nC @ 8V | 11.5nC @ 8V |
FET特長 | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
電力 - 最大 | 6.5W | 7.8W | 6.5W | 6.5W |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V | 30V | 12V | 12V |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
基本製品番号 | SIA917 | SIA918 | SIA913 | SIA912 |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
SIA917DJ-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIA917DJ-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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