SIA907EDJT-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIA907EDJT-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIA907EDJT-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 7.8W | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SIA907 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIA907EDJT-T1-GE3 | SIA906EDJ-T1-GE3 | SIA911DJ-T1-E3 | SIA911EDJ-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 57mOhm @ 3.6A, 4.5V | 46mOhm @ 3.9A, 4.5V | 94mOhm @ 2.8A, 4.5V | 101mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 7.8W | 7.8W | 6.5W | 7.8W |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 250µA | 1.4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23nC @ 10V | 12nC @ 10V | 12.8nC @ 8V | 11nC @ 8V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 350pF @ 10V | 355pF @ 10V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) | 4.5A | 4.5A | 4.5A |
| 基本製品番号 | SIA907 | SIA906 | SIA911 | SIA911 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
SIA907EDJT-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIA907EDJT-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6SIA911DJ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA811DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
SIA910EDJ-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIA911DJ-T5-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIA907EDJT-T4-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIA911EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA906EDJ-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIA906EDJ-T5-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIA811DJ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6SIA817EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6SIA911DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6SIA911ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA911ADJ-T5-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIA814DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6SIA907EDJTElectro-Films (EFI) / VishaySIA813DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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