SIA459EDJ-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIA459EDJ-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIA459EDJ-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 5A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 885 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIA459 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIA459EDJ-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIA459EDJ-T1-GE3 | SIA461DJ-T1-GE3 | SIA483DJ-T1-GE3 | SIA471DJ-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12.9A (Ta), 30.3A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 885 pF @ 10 V | 1300 pF @ 10 V | 1550 pF @ 15 V | 1170 pF @ 15 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 5A, 4.5V | 33mOhm @ 5.2A, 4.5V | 21mOhm @ 5A, 10V | 14mOhm @ 10A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs（最大） | ±12V | ±8V | ±20V | +16V, -20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 基本製品番号 | SIA459 | SIA461 | SIA483 | SIA471 |
| 電力消費（最大） | 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) | 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 45 nC @ 8 V | 45 nC @ 10 V | 27.8 nC @ 10 V |
SIA459EDJ-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIA459EDJ-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIA4528-470KDelta ControlsSIA461DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6SIA483DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6SIA471DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12.9A/30.3A PPAKSIA456DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70SIA447DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6SIA469DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6SIA449DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6SIA462DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6SIA448DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6SIA466EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 25A PPAK SC70-6SIA450DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 240V 1.52A PPAKSIA4528-100KDelta ControlsSIA446DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 7.7A PPAK SC70SiA447DJ-T1-GE3 MOSCCSEMISIA477EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6SIA477EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6SIA4528-330KDelta Controls| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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