SIA411DJ-T1-E3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIA411DJ-T1-E3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIA411DJ-T1-E3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±8V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 30mOhm @ 5.9A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1200 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38 nC @ 8 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) | |
基本製品番号 | SIA411 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIA411DJ-T1-E3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SIA411DJ-T1-E3 | SIA110DJ-T1-GE3 | SIA415DJ-T1-GE3 | SIA413ADJ-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
Vgs(最大) | ±8V | ±20V | ±12V | ±8V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA |
基本製品番号 | SIA411 | SIA110 | SIA415 | SIA413 |
電力消費(最大) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | 19W (Tc) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1200 pF @ 10 V | 550 pF @ 50 V | 1250 pF @ 10 V | 1800 pF @ 10 V |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.5V, 4.5V | 7.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 100 V | 20 V | 12 V |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 | PowerPAK® SC-70-6 Single |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38 nC @ 8 V | 13 nC @ 10 V | 47 nC @ 10 V | 57 nC @ 8 V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 30mOhm @ 5.9A, 4.5V | 55mOhm @ 4A, 10V | 35mOhm @ 5.6A, 4.5V | 29mOhm @ 6.7A, 4.5V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) | 5.4A (Ta), 12A (Tc) | 12A (Tc) | 12A (Tc) |
FET特長 | - | - | - | - |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | TrenchFET® |
SIA411DJ-T1-E3 - Vishay SiliconixのSIA411DJ-T1-E3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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