SI8802DB-T2-E1の技術仕様
Vishay Siliconix - SI8802DB-T2-E1技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI8802DB-T2-E1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±5V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 54mOhm @ 1A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) | |
| 基本製品番号 | SI8802 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI8802DB-T2-E1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI8802DB-T2-E1 | SI8808DB-T2-E1 | SI8817DB-T2-E1 | SI8816EDB-T2-E1 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 700mV @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.4V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力消費（最大） | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 8 V | 30 V | 20 V | 30 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-Microfoot | 4-Microfoot | 4-Microfoot | 4-Microfoot |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±5V | ±8V | ±8V | ±12V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA | 4-UFBGA | 4-XFBGA | 4-XFBGA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 54mOhm @ 1A, 4.5V | 95mOhm @ 1A, 4.5V | 76mOhm @ 1A, 4.5V | 109mOhm @ 1A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | 10 nC @ 8 V | 19 nC @ 8 V | 8 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.2V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 2.5V, 10V |
| 基本製品番号 | SI8802 | SI8808 | SI8817 | SI8816 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A (Ta) | 1.8A (Ta) | 2.1A (Ta) | 1.5A (Ta) |
SI8802DB-T2-E1 - Vishay SiliconixのSI8802DB-T2-E1 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI8719BD-A-ISRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 5000VRMS 1CH GP 6DIP GW
SI8817DB-T2-E1 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI8808DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4MICROFOOTSI8800EDB-T2-E1 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI8817DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4MICROFOOTSI8816EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
SI8719BC-A-ISRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8SOIC
SI8735BCSilicon PowerSI8805EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 4MICROFOOTSI8720BC-A-ISRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8SOICSI8809EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOTSI8800EDB-T2-E1DKR-NDElectro-Films (EFI) / VishaySI8719BC-A-ISSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8SOICSI8720BC-A-IPRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8DIP GWSI8719BC-A-IPRSkyworks Solutions Inc.DGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8DIP GWSI8810EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOTSI8812DB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4MICROFOOTSI8800EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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