SI8499DB-T2-E1の技術仕様
Vishay Siliconix - SI8499DB-T2-E1技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI8499DB-T2-E1仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.3V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±12V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-Micro Foot™ (1.5x1) | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 32mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
電力消費(最大) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 6-UFBGA | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1300 pF @ 10 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 5 V | |
FETタイプ | P-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) | |
基本製品番号 | SI8499 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI8499DB-T2-E1と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | SI8499DB-T2-E1 | SI8487DB-T1-E1 | SI8483DB-T2-E1 | SI8472DB-T2-E1 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) | 4.9A (Ta) | 16A (Tc) | 3.3A (Ta) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 10V | 1.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 32mOhm @ 1.5A, 4.5V | 31mOhm @ 2A, 10V | 26mOhm @ 1.5A, 4.5V | 44mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs(最大) | ±12V | ±12V | ±10V | ±8V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V | 30 V | 12 V | 20 V |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-Micro Foot™ (1.5x1) | 4-Microfoot | 6-Micro Foot™ (1.5x1) | 4-MICRO FOOT® (1x1) |
FET特長 | - | - | - | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
パッケージ/ケース | 6-UFBGA | 4-UFBGA | 6-UFBGA | 4-UFBGA |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 30 nC @ 5 V | 80 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 18 nC @ 8 V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1300 pF @ 10 V | 2240 pF @ 15 V | 1840 pF @ 6 V | 630 pF @ 10 V |
電力消費(最大) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) | 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) | 780mW (Ta) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.3V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 800mV @ 250µA | 900mV @ 250µA |
基本製品番号 | SI8499 | SI8487 | SI8483 | SI8472 |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
SI8499DB-T2-E1 - Vishay SiliconixのSI8499DB-T2-E1 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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