SI7942DP-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SI7942DP-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SI7942DP-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 49mOhm @ 5.9A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.4W | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SI7942 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SI7942DP-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SI7942DP-T1-GE3 | SI7945DP-T1-GE3 | SI7940DP-T1-GE3 | SI7942DP-T1-E3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 30V | 12V | 100V |
| 基本製品番号 | SI7942 | SI7945 | SI7940 | SI7942 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 電力 - 最大 | 1.4W | 1.4W | 1.4W | 1.4W |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 49mOhm @ 5.9A, 10V | 20mOhm @ 10.9A, 10V | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V | 49mOhm @ 5.9A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A | 7A | 7.6A | 3.8A |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24nC @ 10V | 74nC @ 10V | 17nC @ 4.5V | 24nC @ 10V |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual | PowerPAK® SO-8 Dual |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
SI7942DP-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSI7942DP-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SI7942DPSISI7945DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
SI7942DP-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI7940DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8SI7941DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI7942DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8SI7945DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8SI7941DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI7946ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8SI7943DP-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI7942DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI7946DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8SI7940DPSISI7943DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySI7946DPSISI7940DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8SI7941DP-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI7945DPSI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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